韩国三星电子22日在京畿道华城举行20纳米DRAM闪存量产庆祝仪式，三星电子表示，这标志着采用20纳米级工艺的DRAM内存芯片将进入量产阶段，内存芯片纳米竞争已然落幕，从而正式迈入下一代芯片时代。
报道称，内存芯片16号生产线是一栋占地19.8万平方米的12层建筑，是世界最大的内存芯片生产线。该生产线用12英寸晶圆每月生产1万个用于数码相机和智能手机的20纳米级闪存。
三星电子介绍说，芯片内部的电子线路由无数微细的电线紧凑而成。电线越细，在同一面积上装载的电子零件越多，就能储存更多信息。但如果电线过细，流经芯片线路的电流会发生干扰和冲突，从而引发故障。全球芯片生产商为了把电线直径缩小到相当于人类头发丝万分之一的纳米单位，展开了激烈的竞争。20纳米级工艺和30纳米级工艺生产的DRAM内存芯片性能相同，但产量可提高50%，三星的竞争力就在于该微细工艺技术。
据悉，三星在1992年后第一个研发出最微细的芯片生产工艺，并引领内存芯片市场。三星电子强调，这是世界最大的内存芯片生产商三星用来与竞争对手进一步拉大差距的利器，在下一代芯片竞争中，兼备原创技术和量产技术的韩国企业具有更强的竞争力。
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