近年来，我省与俄罗斯、芬兰、瑞典在碳化硅材料制备、微纳米系统、半导体材料等技术领域开展了广泛的合作，研究水平居于国内前沿。特别是开展的第三代半导体SiC（碳化硅）外延设备及工艺技术项目自列入科技部国际科技合作专项项目后，目前已完成了三英寸碳化硅单晶片制备及生长设备的设计研制，启动了四英寸碳化硅半绝缘单晶研究工作，并急需在SiC产业化、ALD（原子层沉积）等关键技术领域取得突破。应俄罗斯圣彼得堡电子科技大学、芬兰MIKTECH公司和瑞典皇家理工学院的邀请，2012年11月9日至11月20日，贺天才厅长率团赴俄罗斯、瑞典、芬兰进行了为期12天的访问。其间考察了俄罗斯圣彼得堡电子科技大学、芬兰MIKTECH公司和瑞典皇家理工学院等单位。计划成果处处长牛青山参加了此次访问。
访问俄罗斯期间，代表团访问了俄罗斯圣彼得堡电子科技大学，与该大学微电子系主任、宽禁带半导体实验室主任尤里·泰洛夫进行了座谈交流。尤里·泰洛夫教授带领的研发小组目前已掌握了用于生长直径为4～5英寸SiC晶体专用设备的设计及制造技术，并已成功研制出直径为4英寸以上的大尺寸SiC晶体，在碳化硅晶体制备领域居于世界领先水平。贺天才厅长与尤里·泰洛夫教授进行了深入的沟通，并参观了其实验室，双方一致同意将在SiC生长技术及其产业化方面开展进一步合作，并签署了中俄技术合作协议。
访问芬兰期间，代表团访问了芬兰MIKTECH公司。该公司材料技术中心先进表面技术实验室主要从事原子层沉积技术研究，是ALD技术的发源地。贺天才厅长听取了该公司关于ALD技术发展和连续卷对卷式原子层沉积技术（roll-to-roll ALD）的介绍，考察了ALD技术实验室，并与外方负责人进行了热烈的讨论，为下一步在ALD技术领域的具体合作奠定了基础。
访问瑞典期间，代表团访问了瑞典皇家理工学院。该学院光电子与信息研究中心在纳米光子学领域处于国际前列。其研究成果在热辐射探测、热红外成像、太阳能电池等能量利用领域的应用前景广阔。代表团参观了该学院光电子与信息研究中心，贺天才厅长向瑞典皇家理工学院介绍了我省省情和科技发展状况，并与瑞方就支持高新技术研发、科研项目的立项与管理、产业化、技术转移和人才引进等方面进行了交流，并讨论了下一步的合作方式。考察团此行还考察了哈马比生态域可再生能源综合利用技术和沃尔沃集团汽车中心，会见了我国“千人计划”引进人才陈旭远教授和仇旻教授，并就技术引进与人才引进进行了深入沟通，均取得了积极的成果。
此次出访进一步扩展和加强了我省与俄罗斯以及瑞典、芬兰等北欧国家的合作关系，并将推动在我省半导体材料、微电子系统、碳化硅材料、循环经济等领域技术的快速提升和人员交流引进，对我省实现产业转型，支撑我省综改试验区发展具有积极的促进作用。
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