近日，位于宁波前湾新区数字经济产业园的清纯半导体（宁波）有限公司，发布了国内首款15V驱动的 1200V SiC Mosfet器件平台产品，填补了国内15V驱动SiC Mosfet产品的空白，使国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。
该系列产品与国际主流产品相比，具有更低的导通损耗、更低的热阻、较低开关损耗，综合损耗更小，效率更高，其首款1200V 75mΩ SiC Mosfet已获得国内领先新能源逆变器制造商的批量订单。
自我国明确双碳目标以来，新能源和新能源汽车行业进入跨越式发展阶段。SiC功率器件得益于高压、高温及高频的独特优势，正成为新一代电力转换的核心器件，已在新能源汽车、光伏逆变器、储能等领域获得广泛应用，显著提高了电力转换效率。国家“十四五”计划点名发展“碳化硅等宽禁带半导体”，希望国内厂商能够尽快追赶国际水平，推出自主可控的产品。
清纯半导体成立于2021年3月，是前湾新区为响应国家战略打造第三代半导体产业链而重点引进的一家碳化硅功率器件设计和供应商，去年底宣布完成高瓴创投领投的数亿元首轮融资。公司成立一年来，技术与产品发展迅速，目前已突破国产SiC功率器件设计及大规模制造瓶颈，在极短时间内先后开发出自主知识产权的SiC二极管及Mosfet器件产品，产品先后通过车规级可靠性测试，是目前国内唯一能够在SiC器件核心性能和可靠性方面达到国际一流水平、并且基于国内产线量产SiC Mosfet的企业。
SiC Mosfet作为应用最广泛的碳化硅功率器件，早已在国内相关行业龙头企业比亚迪、阳光电源和华为等的旗舰产品系列中广泛使用，其需求也在迅速扩大。但我国SiC Mosfet相关核心技术始终未被突破，虽然国内已有个别厂家能够少量提供18V驱动的SiC Mosfet产品，但在产品性能和可靠性方面与国际主流产品仍有较大差距，国内市场主要被国外厂商占据。近年来，国际主流厂商已开始大力推广更先进的15V驱动的SiC Mosfet，由此进一步拉开了与国内产品的技术代差。
此次清纯半导体发布的15V驱动的1200V SiC Mosfet器件平台产品，首次填补了国内该系列产品空白，可广泛应用于新能源汽车、充电桩、工业电源、光伏逆变、UPS、通信电源等大功率、高频、高效率领域，直接实现SiC器件的国产替代，助力千万新区打造第三代半导体产业链，进一步推动国产高性能功率芯片的发展和应用。
（来源：宁波市科技局）
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