6月25日，国家第三代半导体技术创新中心发展战略研讨会暨第一届专家委员会会议在苏州工业园区拉开序幕。
学术界、产业界代表汇聚一堂，共同探讨“十四五”期间如何更好发挥国家第三代半导体技术创新中心的支撑作用、持续提升产业创新能力和国际竞争力等课题。中国科学院院士、国家第三代半导体技术创新中心主任郝跃，中国科学院院士江风益，中国工程院院士欧阳晓平，中国科学院院士杨德仁等数十名国内第三代半导体领域顶尖技术和产业专家线上线下参加，省科技厅二级巡视员景茂，园区党工委委员、管委会副主任倪乾等出席会议。
园区自2006年起布局发展第三代半导体产业，目前已成为国内第三代半导体产业资源集聚度最高、产业化程度最好的区域之一。集聚上下游企业53家，形成了以“设备辅材-衬底外延-器件”为核心、以“下游应用”为支撑的完整的产业链，吸引10余位国家级重点人才在园区创新创业，建设了加工平台、测试分析平台、封装平台等一批公共服务平台。
国家第三代半导体技术创新中心（苏州）于2021年3月获科技部批复支持建设，瞄准国家重大战略需求，围绕第三代半导体材料在半导体照明、新型显示、功率电子领域的“双碳”目标，重点解决第三代半导体材料在耐高压、高功率密度、高能效、高宽带频率等特性需求下的材料生长、工艺技术、装备研发等科学问题，发展一批颠覆性技术，推动我国第三代半导体在多个产业实现国际领跑。
两年来，中心引进院士团队3个、高层次人才近20人，组建了激光显示等3个领域核心攻关团队；材料生长平台、测试分析平台能力全面提升，服务企业及科研院所超百家；实施省级以上重点研发计划3项，部分关键共性技术指标取得突破性进展；与高校院所、科技企业合作设立联合研发中心9个，聚焦国家战略需求开展协同攻关；成立3亿元天使基金，举办了一系列学术活动，为产学研合作和科创成果转化提供有力支撑。
国创中心已组建由六十余位顶尖专家、大咖们组成的第一届技术专家委员会，会议现场为部分专家颁发聘书。围绕产业链需求，加快关键核心技术独立自主和国产化替代，国创中心成立以来，一直致力于加强协同创新网络构建，推动与优势单位、企业共建联合研发中心、实验室、人才培养基地。
会上，面向关键技术攻关方向，新启动共建8家联合研发中心，包括氮化镓同质外延技术联合研发中心、氮化镓功率微波技术联合研发中心、微显示巨集成技术联合研发中心、硅基氮化镓材料联合研发中心、宽带通信滤波器芯片技术联合研发中心、碳化硅车用大功率MOSFET芯片技术联合研发中心、微显示Led技术联合研发中心、超高分辨率Micro-LED显示技术联合研发中心。苏州荷塘创芯基金同期签约成立，“金融活水”将为产业创新发展注入强动力。
“目前，第三代半导体已经显示出了在汽车电子、通信、航空航天等方面的应用优势，苏州在第三代半导体领域拥有丰富的企业资源和科技力量。”郝跃表示，下一步国家第三代半导体技术创新中心将更好地汇聚人才、资源，同时依托苏州工业园区良好的政策环境，进一步加速科技到产业的转化，为国家解决重大战略需求和产业发展需求。
来源：苏州工业园区
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