12月22日,保利协鑫能源控股有限公司面对众多客户和合作伙伴发布了其第二代类单晶硅片产品“鑫单晶G2”,并宣布其进入商业化量产。
根据多家保利协鑫客户提供的测试数据,相较于其2011年发布的第一代类单晶产品,“鑫单晶G2”平均光电转换效率提升了1.1%,硅片性能取得大幅度提升,可用于制备280/335W(60/72PCS)以上的电池组件。“鑫单晶G2”定位于高效硅片市场的主流应用,体现了保利协鑫以市场需求为中心的产品研发策略,将为高端客户提供最具市场竞争力的单晶产品。
据介绍,自2011年11月发布首款高效硅片产品以来,保利协鑫对下游组件厂商一直稳定保持着每六个月提升5W主流组件输出功率的速度。相较于以传统直拉法制得的单晶产品,这次发布的“鑫单晶G2”在电池制备过程中有0.5%的额外效率增益,光衰平均低1%,同时具有转换效率相近、面积大、封装损失低等特点,是单晶铸锭技术取得的最新产品突破,进一步丰富了保利协鑫对组件、系统的技术解决方案。
此次发布的“鑫单晶G2”,加上原有的“鑫单晶G1”以及高效多晶S1、S2、S3,经过不同的电池工艺,可以制备从250/300W(60/72PCS)到290/345W (60/72PCS)多种功率的组件产品,在大获成功的高效多晶产品基础上,进一步增强了保利协鑫的市场影响力、领导力。
保利协鑫执行总裁舒桦先生表示:“保利协鑫高效硅片中的类单晶产品依靠其显著的竞争优势,顺应并引领了市场发展的需要,已成为具有相当影响力的硅片品类,并将逐渐成为单晶产品的主流。‘鑫单晶G2’依托保利协鑫的技术储备和市场推广力量,将为客户提供更高的价值增值。未来,保利协鑫将持续为客户提供最具价值的产品和服务,并将与合作伙伴一起,为全球光伏产业和绿色能源事业的进步而不懈努力。”
免责声明:本网转载自其它媒体的文章,目的在于弘扬科技创新精神,传递更多科技创新信息,宣传国家科技政策,展示国家科技形象,参与国际科技舆论竞争,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责,在此我们谨向原作者和原媒体致以崇高敬意。如果您认为本网文章及图片侵犯了您的版权,请与我们联系,我们将第一时间删除。