单晶、多晶产品的势力消长一直是太阳能市场重要的观察点，而单晶自2016年起藉着效率与成本优势重回主流，多晶厂商为了寻求出路，使得金刚线切片搭配黑硅蚀刻处理的方案重新受到重视，不少厂商摩拳擦掌要在2017下半年推出相关产品在市场上一决胜负。
回顾太阳能产业发展，单晶起初占了先机，之后由经济实惠的多晶逆势翻转。然而，单晶硅晶圆持续扩产所推动的单晶整体成本下降，加上领导厂商的推广以及政策倡导的带动下，单晶的市占率预计会从2015年约18%逐渐增加到2017年的30%以上。
多晶发展遇瓶颈 金刚线切片势在必行
单晶产品之所以能重新取得优势，除高效优势之外，最主要的原因是多晶在转换效率与降低成本方面遇上了瓶颈。多晶硅晶圆与电池透过技术改善来提升效率的空间逐渐缩小，在标准多晶电池制程中，传统酸蚀刻技术处理后的表面平均反射率会比单晶来得高，造成多晶电池反射光的损耗较大;再加上多晶PERC的效率提升成效并不如单晶，导致在目前PERC技术席卷之时，多晶产品的发展受到了抑制。在成本方面，单晶在长晶、切片端都还能降低，多晶则因剧烈的价格竞争导致降低成本空间几乎已经耗尽。
效率/成本比的落后，让多晶制造商感受到强大的竞争压力。2016年，不少多晶企业就开始酝酿商业化金刚线切割多晶铸锭的技术，并逐步解决了金刚线切割多晶铸锭易断线、碎片率高、切割速度慢等问题。相对的，硅料浪费减少、每公斤产出片数多、刀次增加的各种好处浮现，使得多晶硅晶圆每片成本可以大幅下降6～10美分，将成本竞争力转弱为强。
黑硅再起 技术路线明朗化
尽管解决了金刚线切片的弱点，但传统蚀刻制程并不适用于多晶金刚线切片的问题仍然存在。而黑硅技术正是解开金刚线切片这个宝藏的关键钥匙。
图1黑硅为多晶市场带来求赎?
扮演多晶未来发展关键的黑硅方式，其实是两个技术的综合体，包括了金刚线切割与表面蚀刻这两大发展技术。金刚线切割能有效地降低成本，而表面蚀刻则是提升转换效率的推手。结合这两项技术的产品性价比提升了5.8%，堪称是有史以来最大的幅度。黑硅后续发展更可以再继续搭配PERC、双面等技术，朝高效路线进展。
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