近期，晶体硅生长技术论坛在杭州召开。此次论坛由亚化咨询主办，云集了协鑫、阿特斯、荣德等主流长晶企业技术专家，精功科技、晶盛机电、GTAT等设备制造商负责人，以及浙江大学、江苏大学教授等权威专家。保利协鑫长晶事业部总裁游达博士参会并作《GCL铸锭单晶技术进展》报告。游达博士认为，铸锭单晶拥有更低氧含量、更低衰减、无缺角，性价比优势非常明显。
游达博士认为，多晶铸锭硅片产品技术优势为高产能、低光衰、低封装损失;Cz单晶产品转换效率高、位错密度低、可以采用碱制绒工艺，采用铸锭方法生产的单晶硅片兼具二者技术优势。部分下游客户使用反馈，叠加PERC技术后，铸锭单晶与Cz单晶效率差最少仅为0.18%，而成本大幅降低。而且，数据显示，铸锭单晶光衰比Cz单晶产品低0.5%以上，长期发电量更高。
游达博士表示，铸锭单晶硅片还可以更好的兼容下游终端产品，由于不存在缺角，其硅片面积100%可利用，比Cz单晶面积大2%。高效铸锭单晶组件(60片)可以封装到310瓦。在同功率输出的条件下，铸锭单晶组件价格比Cz单晶低0.06元/瓦，度电成本低0.006元/度。
游达博士介绍，保利协鑫2011年即开始研究铸锭单晶技术，已经发布第三代产品。目前，保利协鑫铸锭热场工艺、锭检设备、产品品质全面升级，对称性热场，分段式加热控制有效降低位错，实现高品质整锭单晶。继金刚线切黑硅片之后，铸锭单晶硅片将成为对市场有重大影响的差异化产品。
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