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1.1毫米8英寸硅基氮化镓LED芯片问世

   2012-05-28 国半导体照明网
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核心提示:近日,普瑞光电公司与东芝公司宣布,两家公司共同研发出了行业顶级8英寸硅基氮化镓LED芯片。该芯片仅1.1毫米,在电压低于3.1V电

近日,普瑞光电公司与东芝公司宣布,两家公司共同研发出了行业顶级8英寸硅基氮化镓LED芯片。该芯片仅1.1毫米,在电压低于3.1V电流350mA时发射功率达614mW。
  面对全球液晶面板和照明系统对LED芯片日益增长的需求,普瑞光电与东芝公司将进一步加快在这一领域的研发步伐。
  “东芝公司和普瑞光电早已在这项技术研发方面展开合作,此次注资使两家公司建立为更具有战略性的合作伙伴关系,将推动我们实现降低普通照明市场固态解决方案成本的共同目标。”普瑞光电公司首席执行官Bill Watkins表示。
  “我们很高兴通过我们与普瑞光电公司的研发合作获得了前所未有的8英寸硅基氮化镓LED性能。我们将继续进行更先进的开发,并加速把我们的技术商品化。”东芝公司半导体和存储产品公司副总裁兼执行副总裁Makoto Hideshima表示。

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