据物理学家组织网报道，IBM苏黎世研发中心的科学家17日宣布，他们在相变存储（PCM）技术领域取得重大突破——首次实现了单个相变存储单元存储3个比特的数据。最新研究有助降低PCM的成本，并有望加快其产业化步伐，最终为物联网时代呈指数级增长的数据提供一种简单且快速的存储方式。
目前的存储器种类包括最常见的动态随机存取存储器（DRAM）、硬盘以及闪存等。过去几年，PCM作为一种潜在的通用存储技术，因拥有良好的读写速度、耐用性以及非易失性等优势，成为存储产业的“后起之秀”。PCM在断电时不会像DRAM那样丢失数据，能承受至少1000万次写循环，而闪存仅能耐受3000次写循环。但由于现有内存技术的经济效益远高于新的替代技术，相变存储技术目前尚未在市场上蓬勃发展。
PCM材料拥有非结晶态和结晶态两个稳定的状态。为了在PCM的单元内存储“0”和“1”，先要向其施加一个高的或中等电流，“0”被编入非结晶态，“1”则被编入结晶态或者相反；再朝其施加低电压，就能读回写入的数据。2011年，IBM曾实现在单个相变存储单元中保存1个比特的数据。现在，IBM再下一城，首次成功地在单个单元内存储了3个比特数据。
论文作者之一哈里斯·普兹迪斯说：“相变存储是通用存储器的首个实例，这种存储器兼具DRAM和闪存的优势，可以解决我们目前面临的挑战。每个单元可存储3个比特的数据是一个重要的里程碑，因为在此密度下，PCM的成本将比DRAM低很多，接近闪存。”
研究人员指出，未来PCM既可以独当一面，也可作为快速缓冲贮存区，与闪存等存储方式强强联手。例如，将手机的操作系统存储在PCM内，手机则能在数秒内启动；或可将企业数据库存储在PCM内，用于处理一些如金融交易等的紧急事务。
免责声明：本网转载自其它媒体的文章，目的在于弘扬科技创新精神，传递更多科技创新信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责，在此我们谨向原作者和原媒体致以崇高敬意。如果您认为本站文章侵犯了您的版权，请与我们联系，我们将第一时间删除。
