俄罗斯科学院西伯利亚分院半导体物理研究所的科学家们利用多层石墨烯材料制造的闪存，无论在信息存储速度还是保存时间方面都超过现有其它材料制成的闪存。
据科研人员介绍，石墨烯闪存的作用原理是在存储介质（多层石墨烯材料）里注入和保存电荷，而隧道层和阻挡层是闪存必需的组成部分，其隧道层由氧化硅制得，阻挡层由具有高介电常数的电介质制得。闪存的效率取决于存储介质功函数的大小，也就是电子从物质表面逸出所消耗的能量。用来制作闪存的多层石墨烯具有的重要特点就是对电子具有很大的功函数，约5电子伏特。因此在石墨烯层和氧化硅边界势垒就会增加到大约4电子伏特。被夹在隧道和阻挡氧化物之间的石墨烯层相当于一个深势阱，电荷进去后就长期贮存在那里。这就有了对闪存进行几何学优化的可能，比如使用更薄的隧道层，则存储速度可以提高2-3倍，而更大的功函数可以使电荷贮存的更长久。
科研人员称，目前他们已经获得了石墨烯闪存的原型，但仍然处于基础研究阶段，距工业化生产尚远。
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